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首页 / 激光器及元器件 / 光学晶体 / 砷化镓(GaAs)窗片

砷化镓(GaAs)窗片

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力极强,它在2-16μm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

名称 价格 操作
砷化镓(GaAs)窗片
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¥7500.00
砷化镓(GaAs)窗片
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¥4500.00
产品特点

● 化学稳定性好

● 硬度高

● 抗恶劣环境能力极强

技术参数

传输范围:

1-16μm

折射率:

3.2727 @10.33μm

反射损失:

44%@10.33μm

吸收系数:

0.01cm-1

吸收峰:

n / a

dn / dT:

147×10-6/℃ @ 10μm for derivation

dn /dμ= 0:

6.3μm

密度:

5.315g/cm3

熔点:

1511℃

热导率:

48 W m-1K-1@273K

热膨胀:

5.7×10-6/℃@300K

硬度:

Knoop 750

比热容:

360 JKg-1K-1

介电常数:

在低频下为12.91

杨氏模量(E):

84.8GPa

剪切模量(G):

n / a

体积模量(K):

75.5GPa

弹性系数:

n / a

表观弹性极限:

71.9 MPa

泊松比:

0.31

溶解性:

不溶于水

分子量:

144.64

类/结构:

立方ZnS,F43m,(100)裂解


折射率(O光)

μm

No

μm

No

μm

No

1.033

3.492

1.550

3.3737

2.066

3.338

2.480

3.324

3.100

3.3125

4.133

3.3027

4.959

3.2978

6.199

3.2921

7.293

3.2874

8.266

3.2831

9.537

3.2769

10.33

3.2727

11.27

3.2671

12.40

3.2597

13.78

3.2493

15.50

3.2336

17.71

3.2081

19.07

3.1866


光谱透射曲线

t2.jpg

t3.jpg

产品应用

● 太赫兹时域系统

● 太赫兹源窗片

● 科学实验室研究

● 远红外光学

● 高功率CO2激光器

● 热红外成像系统

● FLIR系统

订购信息

订购型号

规格(D×L)(mm)

光谱范围

GAASP10-0.3

10.0×0.3mm

IR

GAASP25.4-2

25.4×2.0mm

IR

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